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酷睿2 E6550处理器背面外观
产品采用LGA775接口,背面用料奢华,与酷睿2 E6XXX处理器相同。产品采用65纳米制程工艺,核心为Conroe,步进为G0,支持MMX、SSE、SSE2、SSE3、Sup-SSE3、XD-bit(防毒)、EM64T指令集。产品工作电压为0.85V-1.35V,功耗为65W,支持TM2/C1E/EIST节电技术。核心面积为143MM2,晶体管数量为2亿9100万。
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酷睿2 E6550处理器背面外观
产品采用LGA775接口,背面用料奢华,与酷睿2 E6XXX处理器相同。产品采用65纳米制程工艺,核心为Conroe,步进为G0,支持MMX、SSE、SSE2、SSE3、Sup-SSE3、XD-bit(防毒)、EM64T指令集。产品工作电压为0.85V-1.35V,功耗为65W,支持TM2/C1E/EIST节电技术。核心面积为143MM2,晶体管数量为2亿9100万。
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