计世网消息 英特尔公司的技术总监拉特纳计划在“英特尔开发商论坛”（IDF）上首次公开演示其PRAM技术。英特尔计划从本周二开始在北京举办IDF。
PRAM是
由英特尔和数家其它公司联合开发的一种非挥发性内存，被认为可能取代闪存，甚至是DRAM。与DRAM不同的是，在产品掉电前，闪存等非挥发性内存不会丢失存储的信息。但是，与DRAM相比，闪存读写数据的速度要慢得多，而且容量较小，制造成本也更高。在IDF前夕接受采访时，拉特纳说，我们认为相位变化是颇有前途的，我们将于今年下半年生产PRAM。
与闪存相比，PRAM在数据读写速度和耐用性方面都有优势。
英特尔和其它公司都寄希望于PRAM能够取代NOR和NAND闪存，提高PRAM芯片的需求，降低其生产成本。闪存被广泛应用在手机和其它便携式产品中，但也能被应用在PC中。闪存还是英特尔Robson闪存缓冲技术的核心。PRAM的应用范围与闪存一样，英特尔正在调查PRAM的新用途，看它是否能够取代DRAM，它的性能似乎不弱于DRAM。即使证明PRAM能够取代DRAM，它也不会完全取代DRAM。
